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NTLGF3402P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = ?1.1 A
T J = 25 ° C
?0.8
?1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
53
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, I S = ?1.1 A ,
dI S /dt = 100 A/ m s
15
38
Reverse Recovery Charge
Q RR
37
nC
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.1 A
I F = 1.0 A
V R = 5 V, T J = 100 ° C
V R = 10 V
Min
Typ
0.32
0.36
70
Max
0.34
0.39
12
Unit
V
mA
m A
V R = 20 V
6. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
225
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